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 GaAs wafer of (100) orientation
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| 이름 | |
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우선명 (PIN)
Gallium arsenide | |
| 식별자 | |
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3D 모델 (JSmol)
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| ChemSpider | |
| ECHA InfoCard | 100.013.741 |
| EC 번호 |
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| MeSH | gallium+arsenide |
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PubChem CID
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| RTECS 번호 |
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| UNII | |
| UN 번호 | 1557 |
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CompTox Dashboard (EPA)
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| 성질 | |
| GaAs | |
| 몰 질량 | 144.645 g/mol |
| 겉보기 | Gray crystals |
| 냄새 | garlic-like when moistened |
| 밀도 | 5.3176 g/cm3 |
| 녹는점 | 1,238 °C (2,260 °F; 1,511 K) |
| insoluble | |
| 용해도 | soluble in HCl insoluble in 에탄올, 메탄올, 아세톤 |
| 띠간격 | 1.441 eV (at 300 K) |
| 전자 이동도 | 9000 cm2/(V·s) (at 300 K) |
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자화율 (χ)
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-16.2×10-6 cgs |
| 열전도율 | 0.56 W/(cm·K) (at 300 K) |
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굴절률 (nD)
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3.3 |
| 구조 | |
| Zinc blende | |
| T2d-F-43m | |
a = 565.315 pm
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| Tetrahedral | |
| Linear | |
| 위험 | |
| 물질 안전 보건 자료 | External MSDS |
| GHS 그림문자 |
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| 신호어 | 위험 |
| H350, H372, H360F | |
| P261, P273, P301+310, P311, P501 | |
| NFPA 704 (파이어 다이아몬드) | |
| 관련 화합물 | |
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다른 음이온
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질화 갈륨 Gallium phosphide Gallium antimonide |
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달리 명시된 경우를 제외하면, 표준상태(25 °C [77 °F], 100 kPa)에서 물질의 정보가 제공됨. | |
 유효성 확인 (관련 정보   )
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| 정보상자 각주 | |
비소화 갈륨(Gallium arsenide, GaAs) 또는 갈륨비소는 갈륨과 비소로 구성된 화합물이다.
GaAs 태양전지는 태양에너지를 전기로 바꿔주는 광변환 효율이 40%로서, 실리콘 태양전지(16%)보다 두 배 이상 효율이 높다.
1980년대 초반에 갈륨비소 태양전지의 효율이 실리콘 태양전지 효율을 처음으로 뛰어넘었고, 1990년대 이르러서는 인공위성에 쓰이는 값싼 실리콘 태양전지를 값비싼 갈륨비소 태양전지로 대체하였다.
갈륨비소 태양전지는 실리콘 태양전지보다 훨씬 작게 만들 수 있고 원재료 사용량도 획기적으로 줄일 수 있다. 갈륨비소는 실리콘에 비해 신호처리 속도가 6배가량 빠르고 전력 소모량은 3분의 1 수준이지만, 가격은 실리콘 웨이퍼에 비해 15배가량 높다.
아이폰 등 현재의 스마트폰은 대규모집적회로(LSI), 갈륨비소(GaAs) 반도체, 리튬이온 배터리가 없었다면 불가능한 제품이다.