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비소화 갈륨

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비소화 갈륨
Samples of gallium arsenide
Gallium Arsenide (GaAs) 2" wafer.jpg
GaAs wafer of (100) orientation
이름
우선명 (PIN)
Gallium arsenide
식별자
3D 모델 (JSmol)
ChemSpider
ECHA InfoCard 100.013.741
EC 번호
  • 215-114-8
MeSH gallium+arsenide
PubChem CID
RTECS 번호
  • LW8800000
UNII
UN 번호 1557
성질
GaAs
몰 질량 144.645 g/mol
겉보기 Gray crystals
냄새 garlic-like when moistened
밀도 5.3176 g/cm3
녹는점 1,238 °C (2,260 °F; 1,511 K)
insoluble
용해도 soluble in HCl
insoluble in 에탄올, 메탄올, 아세톤
띠간격 1.441 eV (at 300 K)
전자 이동도 9000 cm2/(V·s) (at 300 K)
자화율 (χ)
-16.2×10^-6 cgs
열전도율 0.56 W/(cm·K) (at 300 K)
굴절률 (nD)
3.3
구조
Zinc blende
T2d-F-43m
a = 565.315 pm
Tetrahedral
Linear
위험
물질 안전 보건 자료 External MSDS
GHS 그림문자 GHS08: Health hazard
신호어 위험
H350, H372, H360F
P261, P273, P301+310, P311, P501
NFPA 704 (파이어 다이아몬드)
Flammability code 0: Will not burn. E.g. water Health code 3: Short exposure could cause serious temporary or residual injury. E.g. chlorine gas Reactivity code 0: Normally stable, even under fire exposure conditions, and is not reactive with water. E.g. liquid nitrogen Special hazards (white): no codeNFPA 704 four-colored diamond
0
3
0
관련 화합물
다른 음이온
질화 갈륨
Gallium phosphide
Gallium antimonide
달리 명시된 경우를 제외하면, 표준상태(25 °C [77 °F], 100 kPa)에서 물질의 정보가 제공됨.
아니오아니오 유효성 확인 (관련 정보 예아니오아니오)
정보상자 각주

비소화 갈륨(Gallium arsenide, GaAs) 또는 갈륨비소갈륨비소로 구성된 화합물이다.

GaAs 태양전지는 태양에너지를 전기로 바꿔주는 광변환 효율이 40%로서, 실리콘 태양전지(16%)보다 두 배 이상 효율이 높다.

1980년대 초반에 갈륨비소 태양전지의 효율이 실리콘 태양전지 효율을 처음으로 뛰어넘었고, 1990년대 이르러서는 인공위성에 쓰이는 값싼 실리콘 태양전지를 값비싼 갈륨비소 태양전지로 대체하였다.

갈륨비소 태양전지는 실리콘 태양전지보다 훨씬 작게 만들 수 있고 원재료 사용량도 획기적으로 줄일 수 있다. 갈륨비소는 실리콘에 비해 신호처리 속도가 6배가량 빠르고 전력 소모량은 3분의 1 수준이지만, 가격은 실리콘 웨이퍼에 비해 15배가량 높다.

아이폰 등 현재의 스마트폰은 대규모집적회로(LSI), 갈륨비소(GaAs) 반도체, 리튬이온 배터리가 없었다면 불가능한 제품이다.


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